檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "碳化矽".ckeyword (精準) and year="111"
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碳化矽是一種具有優異電子特性和高熱穩定性的半導體材料，4H導電型碳化矽基板作為高功率半導體元件製造中的最常用也最重要的材料，其中晶體缺陷對對後續元件的品質有很大的影響，輕則元件效率降低重則元件失效，…
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4H碳化矽基板作為高功率半導體重要材料，表面的缺陷對後續元件品質有很大的影響，本研究探討基板材料中的碳包裹物缺陷對磊晶後的表面缺陷有何影響。材料選用6吋N-Type晶圓，在表面以微分干涉影像與光致發…
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單晶碳化矽(SiC)為第三代半導體材料之一，其在材料特性上擁有許多項優點，如：「低漏電流特性、較高熱傳導率、耐化學性及寬能隙等」，而其高硬度及耐化學性質造成碳化矽基板製造困難，且在複線式鑽石線鋸…
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碳化矽(SiC)作為第三代半導體，由於其低功耗，高功率的特性和適合高壓，大電流的操作環境，使其成為電動車充電和5G基地台的基礎設備。但由於碳化矽材質偏硬脆，使得切割和研磨的難度大幅提升。在封裝後段製…
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本論文中針對三氯矽甲烷(MTS)為原料在氫氣氣氛下化學氣相沉積β相碳化矽薄膜的反應機制進行量化模型之探討。首先以一簡化的模型，即僅考慮MTS氣相解離生成一中間產物並貢獻長膜的逐次反應型式，對熱壁式水…
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本研究使用裝載266nm脈衝雷射之時間解析光致發光光譜(time-resolved photoluminescence, TRPL)分析了在低注入條件下磊晶層厚度小於15μm的4H-SiC磊晶片中少…
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本論文使用兩個連續程序，在配備即場式X射線光電子能譜儀（XPS）和反射式高能電子衍射儀（RHEED）的超高真空化學氣相沉積（UHV-CVD）系統中，進行矽晶片（Si(111)）的表面碳化和 SiC …